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Chin. Phys. Lett. 23, 2349-2351 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2352-2355 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2356-2359 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2360-2363 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2364-2367 (2006)
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Chin. Phys. Lett. 23, 2586-2586 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2587-2590 (2006)
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
Chin. Phys. Lett. 23, 2591-2594 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2595-2597 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2598-2601 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2602-2605 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2606-2608 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2609-2612 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2613-2616 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2617-2620 (2006)
Chin. Phys. Lett. 23, 2621-2624 (2006)