2009, Vol. 26(6): 68101-068101    DOI: 10.1088/0256-307X/26/6/068101
Growth and Characteristics of Epitaxial AlxGa1-xN by MOCVD
ZHANG Jie, GUO Li-Wei, CHEN Yao, XU Pei-Qiang, DING Guo-Jian, PENG
Ming-Zeng, JIA Hai-Qiang, ZHOU Jun-Ming, CHEN Hong
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190
收稿日期 2009-01-04  修回日期 1900-01-01
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