2009, Vol. 26(6): 68101-068101 DOI: 10.1088/0256-307X/26/6/068101 | ||
Growth and Characteristics of Epitaxial AlxGa1-xN by MOCVD | ||
ZHANG Jie, GUO Li-Wei, CHEN Yao, XU Pei-Qiang, DING Guo-Jian, PENG Ming-Zeng, JIA Hai-Qiang, ZHOU Jun-Ming, CHEN Hong |
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Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190 | ||
收稿日期 2009-01-04 修回日期 1900-01-01 | ||
Supporting info | ||
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