[1] Ren T L et al 2002 Chin. Phys. Lett. 19 432

[2] Yan Z et al 2007 Chin. Phys. Lett. 24 3559

[3] Liu G Z et al 2007 Chin. Phys. Lett. 24
2387

[4] Duan Z X et al 2008 Chin. Phys. Lett. 25
1472

[5] Li B S et al 2005 Chin. Phys. Lett. 22 1236

[6] Li B Z et al 2005 Chin. Phys. Lett. 22 80

[7] Li W et al 2004 Chin. Phys. Lett. 21 544

[8] Jia Z et al 2006 Chin. Phys. Lett. 23 1042

[9] Wang L H et al 2006 Appl. Phys. Lett. 87
073502

[10] Ren T L, Zhao H J, Liu L T and Li Z J 2003 Mater.
Sci. Engin. B 99 159

[11] Kim K T et al 2004 Microelectron. Engin. 71
294

[12] Aggarwal S et al 2000 Appl. Phys. Lett. 76
918

[13] Soyer C et al 2005 J. Appl. Phys. 97 114110

[14] Gruverman A et al 2003 Appl. Phys. Lett. 82
3071

[15] Zeng H R et al 2005 Chin. Phys. Lett. 22 43

[16] Stolichnov I et al 2002 Appl. Phys. Lett.
80 4804

[17] Wang L H et al 2007 Integrated Ferroelectrics
89 3

[18] Wang L H, Yu J, Wang Y B and Gao J X 2006 J. Mater.
Sci.: Mater. Electron. 17 509

[19] Harnagea C et al 2002 Integrated Ferroelectrics
44 113

[20] Eng L M et al 1999 Appl. Phys. Lett. 74 233

[21] Ganpule C S et al 2002 J. Appl. Phys. 91
1477

[22] Rodriguez B J et al 2004 J. Appl. Phys. 95
1958

[23] Wen H et al 2006 Appl. Phys. Lett. 88
222904

[24] Lim K T et al 2003 J. Vac. Sci. Technol. A
21 1563