[1] King R R et al 2007 Appl. Phys. Lett. 90
183516

[2] Jo S J, Ihn S G and Song J I 2005 Appl. Phys. Lett.
86 111903

[3] Zhukov A E et al 2003 Semiconductors 37 1119

[4] T{\aangring I, Wang S, Sadeghi M and Larsson A 2006
Electron. Lett. 42 691

[5] T{\aangring I et al 2007 Appl. Phys. Lett. 91
221101

[6] Wu D H et al 2008 Electron. Lett. 44 474

[7] T{\aangring I, Wang S M, Gu Q F, Wei Y Q, Sadeghi M,
Larsson A, Zhao Q X, Akram M N and Berggren J 2005 Appl. Phys.
Lett. 86 171902

[8] Kageyama T, Miyamoto T, Ohta M, Matsuura T, Matsui Y,
Furuhata T and Koyama F 2004 J. Appl. Phys. 96, 44

[9] Chang Y A, Kuo H C, Chang Y H and Wang S C 2005 Appl.
Phys. Lett. 87 061908

[10] Wu D H, Niu Z C, Zhang S Y, Ni H Q, He Z H, Sun Z, Han Q
and Wu R H 2006 J. Cryst. Growth 290 494

[11] Wu B P, Wu D H, Ni H Q, Huang S S, Zhan F, Xiong Y H, Xu
Y Q and Niu Z C 2007 Chin. Phys. Lett. 24 3543

[12] Qu Y H, Jiang D S, Wu D H, Niu Z C and Sun Z 2005
Chin. Phys. Lett. 22 2088

[13] Tersoff J 1993 Appl. Phys. Lett. 62 693

[14] Liu Y W and Wang H 2006 J. Vac. Sci. Technol. B
24 1071

[15] Ribas P, Krishnamoorthy V and Park R M 1990 Appl.
Phys. Lett. 57 1040

[16] Varshini Y P 1967 Physica 34 149

[17] Xu Z Y, Lu Z D, Yang X P, Yuan Z L, Zheng BZ, Xu J Z, Ge
W K, Wang Y, Wang J and Chang L L 1996 Phys. Rev. B 54
11528

[18] Sun B Q, Jiang D S, Pan Z, Li L H and Wu R H 2000
Appl. Phys. Lett. 77 4148

[19] Akiyama H, Koshiba S, Someya T, Wada K, Noge H, Nakamura
Y, Inoshita T, Shimizu A and Sakaki H 1994 Phys. Rev. Lett.
72 924