[1] Asif Khan M, Bhattarai A, Kuznia J N et al 1993 Appl. Phys.
Lett. 63 1214

[2] Miyoshi M, Ishikawa H, Egawa T et al 2004 Appl. Phys. Lett.
85 1710

[3] Wang X L, Wang C M, Hu G X et al 2006 Phys. Status Solidi C
3 607

[4] Pearton S J,Kang B S,Kim S et al 2004 J. Phys.: Condens.
Matter 16 R961

[5] Luther B P, Wolter S D, Mohney S E 1999 Sens. Actuators B
56 164

[6] Schalwig J, M\"uller G, Eickhoff M et al 2002 Mater. Sci.
Eng. B 93 207

[7] Steinhoff G, Hermann M, Schaff W J et al 2003 Appl. Phys.
Lett. 83 177

[8] Eickhoff M,Schalwig J,Steinhoff G et al 2003 Phys. Status
Solidi C 6 1908

[9] Kim J, Gila B P,Abernathy C R et al 2003 Solid State
Electron. 47 1487

[10] Song J, Lu W, Flynn J S et al 2005 Appl. Phys. Lett.
87 133501-1

[11] Matsuo K, Negoro N, Kotani J et al 2005 Appl. Surf. Sci.
244 273

[12] Huang J R, Hsu W Ch, Chen Y J et al 2006 Sensors
Actuators B 117 151

[13] Hasegawa H. 2007 Curr. Appl. Phys. 7 318

[14] Wang C M, Wang X L, Hu G X et al 2006 J. Cryst. Growth
289 415

[15] Wang X L, Hu G X, Ma Z Y et al 2007 J. Cryst. Growth
298 835

[16] Ma Z Y, Wang X L, Hu G X et al 2007 Chin. Phys. Lett.
24 1705

[17] Voss L, Gila B P, Pearton S J et al 2005 J. Vac. Sci.
Technol. B 23 2373

[18] Sze S M 1981 Physics of Semiconductor Devices 2nd edn (New
York: Wiley) chap 2

[19] Kim J,Ren F,Gila B P et al 2003 Appl. Phys. Lett.
82 739

[20] Kang B S, Mehandru R, Kim S et al 2005 Phys. Status Solidi C
2 2672